后摩爾時(shí)代來(lái)臨，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)加速追趕的黃金期，我們看好先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域加速發(fā)展的機(jī)遇以第三代半導(dǎo)體材料的電子器件為例，近年來(lái)，隨著材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)逐漸在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)。未來(lái)5年，第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、航天、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景。

第三代半導(dǎo)體：材料工藝是芯片研發(fā)的主旋律。新材料是芯片制造工藝中的核心挑戰(zhàn)，是提升芯片性能的的基石。

第三代半導(dǎo)體材料通常指的是碳化硅、氮化鎵這些更耐高壓、高溫、大電流的大功率高頻組件，以碳化硅SiC 為例，相較于傳統(tǒng)硅材料具有高系統(tǒng)穩(wěn)定度、系統(tǒng)及裝置小型化、縮短充電時(shí)間、延長(zhǎng)電動(dòng)車?yán)m(xù)航力等，而這些材料也將更適配5G時(shí)代。而先進(jìn)封裝具有潛在顛覆性，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)研發(fā)周期短、有節(jié)省空間的優(yōu)勢(shì)而且集成度高，能夠減少芯片的重復(fù)封裝，降低布局與排線難度使研發(fā)周期縮短而伴隨著第三代半導(dǎo)體運(yùn)用規(guī)模擴(kuò)大的同時(shí)，未來(lái)5G、智能交通、人工智能、新能源等領(lǐng)域也將會(huì)快速發(fā)展，以碳化硅氮化鎵為核心的第三代半導(dǎo)體將會(huì)大放異彩，值得期待。